Halbleiter

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 3)

Optimierungspotenzial bei SiC-MOSFETs

Silizium-MOSFETs sind weitestgehend ausgereift – ganz anders als solche aus Siliziumkarbid (SiC). Wenn wir verstehen, aus welchen Bestandteilen sich der Durchlasswiderstand eines SiC-MOSFETs zusammensetzt, lässt sich erkennen, wo noch Optimierungspotenzial besteht.

Ultra-Wide-Bandgap-Halbleiter

Erster Aluminiumnitrid-Kristall mit 43 mm Durchmesser

Aluminiumnitrid hat eine größere Bandlücke als Wide-Bandgap-Halbleiter wie...

Trennverstärker

Spannungen in Antrieben isoliert erfassen

Antriebe, String-Wechselrichter oder On-Board-Ladegeräte arbeiten mit so hohen...

Für VR-Brillen, Handys und Autos

»Nano-Imprint-Lithografie in den Mainstream!«

Die EV Group (EVG) und Toppan Photomask wollen die Nanoimprint-Lithographie (NIL) in...

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 2)

Bei SiC ist noch viel Luft nach oben

Silizium-Leistungshalbleiter sind weitestgehend ausgereift, was die Grenzen des...

65 Mrd. Dollar in 2027

Advanced Packaging wächst kräftig

Auf 65 Mrd. Dollar wird der Markt für Advanced Packaging bis 2027 voraussichtlich...

Alfred Hesener, Navitas Semiconductor

»Unsere GaN-Halbbrücken können mehr«

Navitas hat nun GaN-Halbbrücken-ICs vorgestellt, die Schaltfrequenzen im MHz-Bereich...

Trotz Kapazitätsausbaus

IC-Substrate bleiben knapp

Substrate für High-End-CPUs, GPUs und 5G-Networkng-Chips bleiben weiterhin knapp –...

Neue Generation von Silizium-IGBTs

Kleinere Chips und weniger Verluste

Basierend auf dem AE5-Prozess hat Renesas eine neue Generation von Silizium-IGBTs...

MCU mit Cortex-M0+-Core

Safe, Secure und AUTOSAR-kompatibel

Microchip Technology hat den Mikrocontroller »PIC32CM JH« entwickelt, der mit...